应变工程 是指通过改变材料应变的大小来调控和优化其物化性能的技术。它主要应用在半导体加工工艺中，通过施加力学拉伸或压缩应变，来提高器件的性能。例如，在晶体管中控制沟道中的应变可以增强电子迁移率，从而优化沟道的电学性能。应变工程已经广泛应用于各种电子器件中，如微处理器制造商AMD、IBM和Intel等在亚130纳米技术中利用应变工程取得了显著效果。
应变工程可以分为以下几类：
弹性应变工程：
通过改变材料的弹性应变来调控其物化性能。例如，在单晶硅中，弹性应变可以大幅提高载流子的迁移率，这一技术在CMOS工业中得到了广泛应用。
工程应变：
工程应变是指材料在受到外力作用时，相对于原始长度或形状发生的变形程度。它仅考虑物体表面的长度变化，而不考虑材料内部微观结构的变化。工程应变的计算公式为：εe=δ/L0，其中δ为试件在外荷载作用下的伸长量，L0为试件的初始长度。
实际应变：
实际应变是指材料内部分子间距离的变化，即考虑材料内部微观结构的变化。实际应变与工程应变不同，它通过测量材料的长度、直径等参数来计算，并且随着应变增加，两者之间的差别也会增加。
通过对应变工程的研究和应用，可以有效地提高电子器件的性能，推动微电子技术的不断发展。
